湖北3MTDC模块

晶闸管智能模块的保护

  在实际应用中，除合理选择智能可控硅调压模块的额定电压及电流外，还必须采取有效的保护措施来保证晶闸管智能模块能可靠工作。

  晶闸管智能模块与其他功率器件一样，在实际工作中由于自身功耗，都会引起芯片温度上升，温度过高后，会使漏电流增加，芯片特性变软，直至过热击穿，在实际应用中，模块，通常采用强迫风冷的方法来及时散除晶闸管工作时产生的热量，控制散热器蕞高温度不超过75°，使晶闸管智能模块在安全温度下工作。

淄博奥凯电气有限公司是一家专注于电气产品研发生产、销售服务的公司，生产的产品主要包括： 1、晶闸管模块及可控硅调压器：可控硅MTC模块、晶闸管智能控制模块、桥式整流模块、二极管模块、单三相调压器调功器等。 2、多功能控制板：移相触发板、稳流稳压板、直流调速板、软启动板、高频电源控制板、力矩电机控制板等。 3、电气控制柜：交直流电机软启动、稳流稳压电源（电泳电源、直流电火花机床电源、等离子硅碳棒电弧电源）、直流电机调速器、温度控制柜、高频开关电源（电镀电解电源）、蓄电池充放电电源、蓄电池放电检测仪、直流斩波电源、力矩电机控制器、变频器、谐波补偿柜、励磁电源等。 4、新产品：自动化电泳电源；发电厂、化工厂等使用的直流屏、直流电机软启动器/柜；新能源电动汽车用大功率稳流稳压充电电源。 5、自动化工程及现场服务：各种电气自动化工程以及根据客户需求进行电气控制柜改造及维修等。

晶闸管智能模块在手动控制时，对所用电位器有何要求?

电位器的功率 ≥0.5W ，阻值范围从5.1—100K均可。

晶闸管智能模块的散热应注意些什么?

晶闸管智能模块芯片结温不能超过 125 度，当模块工作稳定时，散热器温度勿超过80度（即模块的壳温），否则烧坏模块。

当用户测试模块输出不正常时，自行考虑哪几方面?

（1）模块是否带负载测试。

（2） 12V 电源是否符合模块工作要求。

（3）如果是微机或仪表控制，看控制端是否有放电回路，因 2 、3 脚有一电容可能存贮电荷，使未加信号时导通，需在2、 3 脚间接一个500K电阻。

（4）若用户测试不平衡，首先看其负载是否平衡，测试时数字表红、黑表笔是否应 AB 、BC 、CA 相。

（5）接线是否正确，尤其单相交流模块，两边对应要加零线。

（6）若用户带感性、容性负载或负载不确定的情况下，模块工作不正常，建议用户在纯阻性负载下测试。

（7）对于控制信号不确定的情况下，选用电位器调节来检查模块是否正常。

晶闸管智能模块是电加热炉控制装置中蕞关键的功率器件，整机装置是否工作可靠与正确选择智能可控硅调压模块的额定电压、额定电流等参数有很大关系，选型的原则是考虑工作可靠性，即电流、电压必须留有足够余量。一般加热炉额定电压为380V，选择工作电压为460V的晶闸管智能模块，其他电压的晶闸管智能模块需要订做。

  对晶闸管智能模块电流的选择，必须考虑加热炉炉丝（或加热件）的额定工作电流及智能可控硅调压模块的蕞大输出电压值，如果加热丝为NTC或PTC特性的（即加热丝额定电流随温度变化，开机时温度很低，额定电流会很大或加热到蕞高温度时，额定电流会很大或加热到蕞高温度时，额定电流会很大），必须考虑加热丝整个工作状态的蕞大电流值，作为加热丝的额定电流值来确定晶闸管智能模块的规格大小。

可控硅模块生产企业必经的三个发展阶段，对此知识点有疑问的同学请参考***的文章。

  一、初创阶段：生存问题是首要问题，企业要解决的是先存活下来的问题，突出业务的发展，强调的是结果导向，忽略过程。

  二、成长阶段：生存的压力缓解，企业期望能够做大做强。除了关注结果外，还关注过程。员工利益如何分配和责权利如何清晰划分成为本阶段的两个关键问题。

  三、成熟阶段：业务成熟、利润增加、公司发展稳定、组织结构臃肿，人员的协调性差。但千万不要松懈，争取使企业得到更加繁荣的发展。

  希望大家可以通过以上的文章对生产可控硅模块的企业的三个发展阶段的相关知识点有一个大体的了解。要是您需要这方面的技术知道的话，就请致电公司吧。

使用可控硅模块的**准则：

可控硅模块大家都知道，它的应用与优势让它在电气行业占着比较重要的作用，设备都有寿命的限制，所以在使用的时候一定要注意，正确的使用准则才能延长可控硅模块的寿命，下面来说说可控硅模块使用的**准则。

准则1

  为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT，直至负载电流达到≧IL。这条件必须满足，并按可能遇到的较低温度考虑。

  准则2

  要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须间，使能回复至截止状态。在可能的运行温度下必须满足上述条件。

  准则3

   设计双向可控硅模块触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）。

     准则4

  为减少杂波吸收，门极连线长度降至低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H系列低灵敏度双向可控硅。