安徽3MTDC模块厂家

时间:2020年05月10日 来源:

可控硅模块与双极型晶体管的主要区别与分辨:

  大家都知道可控硅模块与双极型晶体管有密切的关系,可控硅模块用途的多样性让人看的眼花缭乱,甚至难以相信,为什么可控硅模块会有如此出众的表现呢?下面我们首先来介绍一下可控规模,再来了解它与双极型晶体管的密切关系:

  让我们看看可控硅模块的专业介绍,可控硅模块在发现与制备的时候,已经经历了非常漫长的时间,在它不断走向成熟的时候,可控硅模块的更多用途也在被不断发掘出来。

  就像它无尽的潜力,在压力与动力并存的情况下,爆发开来。接下来,仍然会有更多的关于可控硅模块的发现。

  可控硅模块与双极型晶体管有密切的关系:二者的传导过程皆牵涉到电子和空穴,但可控硅模块的开关机制和双极晶体管是不同的,且因为器件结构不同,可控硅器件有较宽广范围的电流、电压控制能力。

  双极晶体管由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。 奥凯电气具备雄厚的实力和丰富的实践经验。安徽3MTDC模块厂家

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作为一个专业的可控硅模块厂家,我们有必要为广大消费者介绍我们的产品,产品介绍如下:

  可控硅模块又叫晶闸管,自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管,等等。现在大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极:首层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。 安徽3MTDC模块厂家奥凯电气建立双方共赢的伙伴关系是我们孜孜不断的追求。

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可控硅模块的简要说明:

可控硅模块的出现已经历史悠久,它的出现也帮助人们解决了很多难题,凭借它的优势,使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎,

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductormodule)。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装;结构重复性好,装置的机械设计可以简化,价格比分立器件低等诸多优点,因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧,并因此得到长足发展。


晶闸管模块的工作原理:

晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。

工作条件编辑

晶闸管的工作条件:

1.晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。

2.晶闸管承受正向阳极电压时,*在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。

3.晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。

4.晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。 奥凯电气地理位置优越,拥有完善的服务体系。

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晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 奥凯电气深受行业客户的好评,值得信赖。安徽3MTDC模块厂家

奥凯电气设备的引进更加丰富了公司的设备品种,为用户提供了更多的选择空间。安徽3MTDC模块厂家

使用可控硅模块的**准则:

可控硅模块大家都知道,它的应用与优势让它在电气行业占着比较重要的作用,设备都有寿命的限制,所以在使用的时候一定要注意,正确的使用准则才能延长可控硅模块的寿命,下面来说说可控硅模块使用的**准则。

准则1

  为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT,直至负载电流达到≧IL。这条件必须满足,并按可能遇到的较低温度考虑。

  准则2

  要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须间,使能回复至截止状态。在可能的运行温度下必须满足上述条件。

  准则3

   设计双向可控硅模块触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+)。

     准则4

  为减少杂波吸收,门极连线长度降至低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H系列低灵敏度双向可控硅。 安徽3MTDC模块厂家

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