吉林变压整流器

整流器的蓄电池充电电压温度补偿

当采用远端温度检测器时，整流器/充电机应自动调节蓄电池浮充电压（一般按−5mv/只/℃）。通常蓄电池的浮充电压为2.25V/只，终止电压为1.67V/只，因此DC母线电压在浮充和终止电压时分别为N×2.25V，N×1.67V（N为蓄电池的只数）。

1、输入功率的逐步增加

整流器/充电机应具有将初始功率要求限制到额定负载的20%，并在10秒的时间间隔内逐渐将输入功率增加到****额定容量。在冗余UPS系统中，各整流器/充电机的输入功率的加入时间应延迟5至300秒，以减少对发电机组的影响。

2、输入隔离开关

整流器/充电机应有输入隔离开关并有保护。隔离开关应能同时提供满足负载的电流和蓄电池的再充电电流，并能承受较大的短路电流。 奥凯电气提供周到的解决方案，满足客户不同的服务需要。吉林变压整流器

可控硅整流器：主电路采用三相桥或双反星形带平衡电抗器电路。可控硅元件采用大功率元件，节能明显。主控制系统采用大板高槛抗干扰、大规模集成控制板；模块及集成元件全部采用进口，可靠性高。具有自动稳压、稳流，稳定精度优于1%。具有0~60S软起动，电镀氧化着色时间可任意设定，自动定时。采用多相整流，减小输出电压纹波系数ru，特别适应于镀硬铬工艺，表面光洁度好，镀层厚度均匀。冷却方式：水冷、风冷、自冷。

晶闸管全称晶体闸流管，又称可控硅:是一种功率半导体器件。它具有容量大、效率高、可控性好、寿命长以及体积小等诸多优点，是弱电控制和被控强电之间的桥梁。从节能的观点出发，电力电子技术被誉为新电气技术。我国的能源利用率较低，按国民生产单产能耗计算，我国则是法国的4.98倍、日本的4.43倍，因此以晶闸管为**的电气控制装置的普及使用是我国有效节约电能的一项重要措施。 吉林变压整流器奥凯电气可靠的质量保证体系和经营管理体系，使产品质量日趋稳定。

整流主电路按接线方式分：A.双反星带平衡电抗；B.三相桥式或同相逆并联双反星带平衡电抗器；C.同相逆并联三相桥式；D.六相双反星型电路E十二相双反星带平衡电抗器，功率元件采用大功率晶闸管。

整流变压器采用0.27或0.35 mm高导磁率，无向冷轧硅钢片，设计成五柱三相输入，初次级用电阻率低的无氧紫铜线绕制；主变压器采用两次真空浸漆、烘干，使其安全系数和稳定性得到有效的保障。冷却方式分为自冷户外式、风冷、水冷、油浸水冷等可按工艺要求选择。 具有周期换向、正向、反向三种可选工作状态，正负极切换时间、电压、电流调节可任意设定，可自动更换输出电流的极性，有利于增加镀层的硬度、致密度与光亮度。

可控硅是一种极为重要的功率电子器件，可以以极小的控制功率控制兆瓦级的电力，常用于整流、开关、变频、逆变等电路中. 高功率可控硅采用甚大面积的硅片，需封装在带散热器的管壳中.

在可控整流电路的波形图中，发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内，发出个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?

为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。 诚挚的欢迎业界新朋老友走进奥凯电气设备！

整流器/充电机应有输出滤波器以将加在蓄电池的纹波电压减少到**小。整流器的DC输出电压的AC纹波电压应小于浮充电压（RMS）的1%。滤波器应充分保证整流器/充电机的DC输出电压在蓄电池未连接的情况下满足逆变器的要求。

除了为负载供电外，整流器/充电机应能在10倍于放电时间的时间内，将蓄电池的放电功率恢复到95%。蓄电池再充电后，整流器/充电机应使蓄电池保持在满充电状态，直到下一次放电。

蓄电池充电电压温度补偿

当采用远端温度检测器时，整流器/充电机应自动调节蓄电池浮充电压（一般按−5mv/只/℃）。通常蓄电池的浮充电压为2.25V/只，终止电压为1.67V/只，因此DC母线电压在浮充和终止电压时分别为N×2.25V，N×1.67V（N为蓄电池的只数）。 奥凯电气始终以适应和促进工业发展为宗旨。湖南单相整流器生产厂家

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整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流（AC）转化为直流（DC）的装置。它有两个主要功能：

一，将交流电（AC）变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；

二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。

三极管的hFE参数与贮存时间ts相关，一般hFE大的三极管ts也较大，过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺，人们更依赖hFE参数来选择三极管。

在开关状态下，hFE的选择通常有以下认识：、hFE应尽可能高，以便用**少的基极电流得到比较大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。

但是，如果考虑到开关速度和电流容限，则hFE的比较大值就受到限制；第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件，例如hFE为10到15，甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来，由于基极回路流行采用电容触发线路，hFE的数值有所上升)，hFE的数值小则饱和深度小，从而有利于降低晶体管的发热。

实际上，晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响，因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整，也可以降低饱和深度。 吉林变压整流器

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