枣庄硅整流器

高频整流器输入配电系统：

       在数据中心的UPS供电系统中，输入电路一个**重要的指标就是输入功率因数。输入功率因数低会造成成下面的不利影响：

  (1) 导致输入整流器供电线路上各环节的早期老画

  输入功率因数低的原因是输入谐波电流成分含量大，谐波电流经过输入电缆时，使电缆产生附加发热量，导致电缆外皮材料长期发热、变软、变脆，整流器、变酥、变碎;谐波电流经过输入断路器(开关)时，开关出点由于长期发热而导致接触不良，一个正反馈的效应是开关过早时效;谐波电流经过输入保险丝时，由于长期的附加发热而导致熔丝变软、下垂(使整个保险丝粗细变得不均与)、自然断裂而引起断电。

淄博奥凯电气有限公司是一家专注于电气产品研发生产、销售服务的公司，生产的产品主要包括： 1、晶闸管模块及可控硅调压器：可控硅MTC模块、晶闸管智能控制模块、桥式整流模块、二极管模块、单三相调压器调功器等。 2、多功能控制板：移相触发板、稳流稳压板、直流调速板、软启动板、高频电源控制板、力矩电机控制板等。 3、电气控制柜：交直流电机软启动、稳流稳压电源（电泳电源、直流电火花机床电源、等离子硅碳棒电弧电源）、直流电机调速器、温度控制柜、高频开关电源（电镀电解电源）、蓄电池充放电电源、蓄电池放电检测仪、直流斩波电源、力矩电机控制器、变频器、谐波补偿柜、励磁电源等。 4、新产品：自动化电泳电源；发电厂、化工厂等使用的直流屏、直流电机软启动器/柜；新能源电动汽车用大功率稳流稳压充电电源。 5、自动化工程及现场服务：各种电气自动化工程以及根据客户需求进行电气控制柜改造及维修等。

整流器的半导体PN结在正向偏置时电流很大，反向偏置时电流很小。整流二极管就是利用PN结的这种单向导电特性将交流电流变为直流的一种PN结二极管。通常把电流容量在1安以下的器件称为整流二极管，1安以上的称为整流器。常用的半导体整流器有硅整流器和硒整流器，产品规格很多，电压从几十伏到几千伏，电流从几安到几千安。整流器普遍用于各种形式的整流电源中。

从而**降低了车载电器设备的性能和使用寿命；再加上高龄汽车的电路系统老化，电路阻阬变高的影响，对您的爱车的影响也就变得日益明显。电子整流器是的作用是帮助车消除杂波干扰、稳定输出电压、提高电源系统的瞬间放电能力、增加扭力输出、加快油门反应、延长电池使用寿命、缩短汽车引擎启动时间、提高点火效率等，尤其是对小排量的车，效果比较明显。

整流器的基本要求：

1．输入电流总谐波失真（THD）（总谐波失真THD：交流电流的谐波电流有效值占基波分量有效值的百分比）

6脉冲整流器的输入电流的THD在6脉冲整流器的满载输入电流时应小于33%；采用输入滤波器可将输入电流失真减小到10%。

12脉冲整流器的输入电流的THD在12脉冲整流器的满载时应小于10%，采用输入滤波器可将输入电流总谐波失真减小到5%。

2．交流输入电流限制

整流器/充电机应有交流输入电流限制电路，一般将交流输入电流限制到满载输入电流的115%。在发电机组供电时（此时整流器会接收到一个外部低电压信号，据此判断为是发电机组供电），应将交流输入电流限制到满载输入电流的****。

整流器的优点：可实现远控箱远程控制和中安集中控制，根据用户的要求采用PLC可编程控制器实现继电操作、保护工艺过程的自动化。产品柜体可采用电脑标准化设计，箱体整体密封设计，结构上采取了防盐雾酸化的措施，局部采取塑料件结构，既防腐又美观，同时又基本上克服了大电流磁场涡流发热的影响，而且设备的损耗小，效率高。具有软启功能，防止启动时的瞬间电流对整流器造成损伤，及避免工件烧焦。

1、输出纹波数比较大输出时≤5%，≤3%，≤2%，≤1%。

2、整机可长期满载，安全可靠运作。

3、输出直流电流：100A-80000A。

4、输出直流电压：0-12V、8V、24V—500V等，可按工艺要求选择。

整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流（AC）转化为直流（DC）的装置。它有两个主要功能：

一，将交流电（AC）变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；

二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。

三极管的hFE参数与贮存时间ts相关，一般hFE大的三极管ts也较大，过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺，人们更依赖hFE参数来选择三极管。

在开关状态下，hFE的选择通常有以下认识：、hFE应尽可能高，以便用**少的基极电流得到比较大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。

但是，如果考虑到开关速度和电流容限，则hFE的比较大值就受到限制；第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件，例如hFE为10到15，甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来，由于基极回路流行采用电容触发线路，hFE的数值有所上升)，hFE的数值小则饱和深度小，从而有利于降低晶体管的发热。

实际上，晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响，因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整，也可以降低饱和深度。