大功率整流器生产厂家

半导体PN结在正向偏置时电流很大，反向偏置时电流很小。整流二极管就是利用PN结的这种单向导电特性将交流电流变为直流的一种PN结二极管。通常把电流容量在1安以下的器件称为整流二极管，1安以上的称为整流器。常用的半导体整流器有硅整流器和硒整流器，产品规格很多，电压从几十伏到几千伏，电流从几安到几千安。整流器普遍用于各种形式的整流电源中。

大功率整流电源要求整流器的电流容量大、击穿电压高、散热性能好，但这种器件的结面积大、结电容大，因而工作频率很低，一般在几十千赫以下。硅材料的禁带宽度较大，导热性能良好，适于制作大功率整流器件。在耐高压的整流装置中常采用高压硅堆，它由多个整流器件的管芯串联组成，其反向耐压由管芯的耐压及串联管芯数决定，比较高耐压可达几百千伏。如果高频整流电路用于很高频率下，当交流电压的周期与整流器通态到关态的恢复时间相当时，整流器对高频电压不再起整流作用。为适应高频工作的需要，通常在硅整流器中采用掺金的方法，以缩短注入少数载流子的寿命，从而达到减小恢复时间的目的。 奥凯电气累积点滴改进，迈向优良品质！大功率整流器生产厂家

整流器的基本要求：

1．输入电流总谐波失真（THD）（总谐波失真THD：交流电流的谐波电流有效值占基波分量有效值的百分比）

6脉冲整流器的输入电流的THD在6脉冲整流器的满载输入电流时应小于33%；采用输入滤波器可将输入电流失真减小到10%。

12脉冲整流器的输入电流的THD在12脉冲整流器的满载时应小于10%，采用输入滤波器可将输入电流总谐波失真减小到5%。

2．交流输入电流限制

整流器/充电机应有交流输入电流限制电路，一般将交流输入电流限制到满载输入电流的115%。在发电机组供电时（此时整流器会接收到一个外部低电压信号，据此判断为是发电机组供电） 江苏三相PWM整流器生产厂家奥凯电气在客户和行业中树立了良好的企业形象。

 可控硅整流器，是一种以晶闸管（电力电子功率器件）为基础，以智能数字控制电路为**的电源功率控制电器。越发电器所生产的“越发”牌可控硅整流器具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。欢迎您放心安全的选购。

1、操作方便 

  配备简单实用的遥控操作箱，即方便使用者在工位就近操作又可方便整流器安装选位。 

2、控制特性良好 

  采用的控制电路与国际主流可控硅控制电路可完全互换，该控制电路它具有自动稳压/稳流、自动电流密度、0-180秒任意调节软启动等良好控制功能，并可通过接口实现计算机控制，是目前先进的可控硅控制系统。 

高频整流器输入配电系统：

       在数据中心的UPS供电系统中，输入电路一个**重要的指标就是输入功率因数。输入功率因数低会造成成下面的不利影响：

  (1) 导致输入整流器供电线路上各环节的早期老画

  输入功率因数低的原因是输入谐波电流成分含量大，谐波电流经过输入电缆时，使电缆产生附加发热量，导致电缆外皮材料长期发热、变软、变脆、变酥、变碎;谐波电流经过输入断路器(开关)时，开关出点由于长期发热而导致接触不良，一个正反馈的效应是开关过早时效;谐波电流经过输入保险丝时，由于长期的附加发热而导致熔丝变软、下垂(使整个保险丝粗细变得不均与)、自然断裂而引起断电。 奥凯电气以创百年企业、树百年品牌为使命，倾力为客户创造更大利益！

整流器还用在调幅(AM)无线电信号的检波。 信号在检波前可能会先经增幅(把信号的振幅放大)，如果未经增幅，则必须使用非常低电压降的二极管。 使用整流器作解调时必须小心地搭配电容器和负载电阻。 电容太小则高频成分传出过多，太大则将讯号。

整流装置也用于提供电焊时所需固定极性的电压。 这种电路的输出电流有时需要控制，此时会以可控硅(一种晶闸管)替换桥式整流中的二极管，并以相位控制触发的方式调整其电压输出。 奥凯电气有着质量的服务质量和极高的信用等级。大功率整流器生产厂家

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整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流（AC）转化为直流（DC）的装置。它有两个主要功能：

一，将交流电（AC）变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；

二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。

三极管的hFE参数与贮存时间ts相关，一般hFE大的三极管ts也较大，过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺，人们更依赖hFE参数来选择三极管。

在开关状态下，hFE的选择通常有以下认识：、hFE应尽可能高，以便用**少的基极电流得到比较大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。

但是，如果考虑到开关速度和电流容限，则hFE的比较大值就受到限制；第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件，例如hFE为10到15，甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来，由于基极回路流行采用电容触发线路，hFE的数值有所上升)，hFE的数值小则饱和深度小，从而有利于降低晶体管的发热。

实际上，晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响，因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整，也可以降低饱和深度。 大功率整流器生产厂家

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