淄博MTAC100晶闸管智能模块型号

    晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管的种类晶闸管有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。（二）按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。（三）按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中。正高电气公司可靠的质量保证体系和经营管理体系，使产品质量日趋稳定。淄博MTAC100晶闸管智能模块型号

    并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。可关断晶闸管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称门控晶闸管。其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。前已述及，普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺点，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点。淄博MTAC100晶闸管智能模块型号正高电气热忱欢迎新老客户惠顾。

    晶闸管软起动的起动方式1、全压起动在这种状态下（图1），软起动装置相当一个固态接触器，电机和直接起动一样，承受全部的电流冲击和转矩冲击，一般情况下晶闸管全开时间控制在：图1全压起动2、电压斜坡起动该模式是比较长用的起动模式。它通过减少起动力矩的冲击，实现对电机平滑、连续无级加速的起动，从而使齿轮、连轴结和皮带的摩擦减小到比较低。用户可以调节电机的初始转矩，在加速斜坡时间内，电机的输入电压从设置的初始转矩对应的电压线性上升，把传统的降压起动变有级为无级，从而可以使电机平滑的起动，减少了机械方面的冲击。图2电压斜坡起动3、限流起动限流起动，顾名思义，就是在电动机起动过程中把起动电流限制到某一设定电流值以下。主要用在相对较轻负载起动，并且对电网冲击有一定要求的工况下，其输入电压从零开始迅速增长，直到其电流达到预先设定的电流限值，然后在保证输出电流不大于电流限值的情况下，改变晶闸管的导通角，逐渐升高电压，直到额定电压。与此同时，电动机的转速也在逐渐上升，到达额定转速。这种起动的优点是起动电流较小，可以把电动机起动对电网的冲击降到**小，并可按照需要进行设定限流值。

    可以自动调节负载阻抗的匹配，达到恒功率输出，可以制成“快速熔炼”的中频电源，达到节时、节电、提高网侧功率因数的目的（此功能也可被送掉）。逆变部分的主要电路均在QXPU-1大规模集成电路的内部，亦是数字电路。QXPU-1控制板全板*有7只集成电路、6只晶体管、6只微调电位器、32个引出端子，安装十分方便，适用于各种晶闸管并联谐振中频电源。MPU-2控制板在设计中征求了多方面的意见，采取了有效措施，使得调试极为方便，大多数参数的都由电路内部自动设定，需要用户调整的只有6只电位器的参数设定，所以具有极强的通用性和互换性。2、产品名称产品名称：恒功率晶闸管中频电源控制板3、适用装置适用于400HZ-10KHZ各种晶闸管并联谐振中频电源。4、正常使用条件。℃，不高于+40℃。比较大相对湿度不超过90%（20℃±5℃时）。，无腐蚀金属和破坏绝缘的气体或蒸汽。。5、主要技术参数：100V~660V（50HZ）（注意R3、R7、R11的匹配）：单相17V/2A。：AC12V/15mA。：AC12V/5mA三相输入。：α=0~130°。：小于1°。：≥600μS、双窄、间隔60°。：触发脉冲峰值电压：≥12V触发脉冲峰值电流：≥1A触发脉冲前沿陡度：≥μS：400HZ~10KHZ。：1/16×逆变频率。正高电气始终以适应和促进工业发展为宗旨。

    晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。正高电气用先进的生产工艺和规范的质量管理，打造优良的产品！淄博MTAC100晶闸管智能模块型号

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