福建高压可控硅模块组件

可控硅模块采用陶瓷覆铜工艺，电流承载能力大，热循环负载次数是国标的进10倍，焊接工艺独特，绝缘强度高，导热性能好。可控硅模块的工作场所应干燥、无腐蚀性气体、通风、无尘，环境温度范围-25℃--45℃，下面为大家介绍可控硅模块的安装步骤：  1、散热器和风机按通风要求装配于机箱合适位置。散热器表面必须平整光洁。在模块导热底板与散热器表面均匀涂覆一层导热硅脂，然后用螺钉把模块固定于散热器上，四个螺钉用力要均等。

  2、用接线端头环带将铜线扎紧，浸锡，套上绝缘热缩管，用热风或热水加热收缩，导线截面积按电流密度<4A/mm2选取，禁止将铜线直接压接在可控硅模块电极上。

  3、 将接线端头平放于可控硅模块电极上用螺钉紧固，保持良好的平面压力接触。

  4、可控硅模块的电极易掀起折断，接线时应防止重力将电极拉起折断。 淄博正高电气有限公司团结、创新、合作、共赢。福建高压可控硅模块组件

可控硅鉴别三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以判断出来。

  阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。

  控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

  若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。 威海反并联可控硅模块功能淄博正高电气有限公司周边生态环境状况好。

可控硅模块规格的选择方法：考虑到可控硅产品一般为非正弦电流，存在导通角问题，负载电流存在一些波动和不稳定因素，晶闸管芯片抗电流冲击能力差，在选择模块电流规格时必须留出一定的裕度。

推荐选择方法可按照以下公式计算：I＞K×I负载×U∕U实际

K ：安全系数，阻性负载K= 1.5，感性负载K= 2；

I负载：负载流过的强大电流； U实际：负载上的小电压；

U强大 模块能输出的强大电压；（三相整流模块为输入电压的1.35倍，单相整流模块为输入电压的0.9倍，其余规格均为1.0倍）；

I：需要选择模块的小电流,模块标称的电流必须大于该值。

单向可控硅的检测

  万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 淄博正高电气有限公司锐意进取，持续创新为各行各业提供专业化服务。

可控硅模块特点：

1 对耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流：IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。

5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 淄博正高电气有限公司产品**国内。甘肃大功率可控硅模块结构

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过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。

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