江苏反并联可控硅模块哪家好

可控整流：如同二极管整流一样，将交流整流为直流，并且在交流电压不变的情况下，有效地控制直流输出电压的大小即可控整流，实现交流→可变直流之转变;

无触点功率静态开关(固态开关)：作为功率开关元件，可控硅可以代替接触器、继电器用于开关频率很高的场合。

因此可控硅元件被广泛应用于各种电子设备和电子产品的电路中，多作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等用途。家用电器中的调光灯、调速风扇、冷暖空调器、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、声控电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、以及玩具装置、电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等工业控制领域等都大量使用了可控硅器件。 淄博正高电气有限公司在行业的影响力逐年提升。江苏反并联可控硅模块哪家好

可控硅模块的设备与维护

（1）在模块导热底板表面与散热器外表各均匀涂覆一层导热硅脂，然后用四个螺钉把模块固定于散热器上，固定螺钉不要一次拧紧，几个螺钉要顺次固定，用力要均匀，重复几回，直至强健，使模块底板与散热器外表严密触摸。

（2）把散热器和风机按需求安装好后，笔直固定于机箱合适方位。

（3）用接线端头环带将铜线扎紧，浸锡，然后套上绝缘热缩管，用热风加热缩短。将接线端头固定于模块电极上，并坚持超卓的平面压力触摸，阻止将电缆铜线直接压接在模块电极上。  

（4）为延伸商品运用寿数，主张每隔3-4个月维护一次，替换一次导热硅脂，铲除外表尘土，紧固各压线螺钉。 济南小功率可控硅模块组件淄博正高电气有限公司以发展求壮大，就一定会赢得更好的明天。

正高可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有两个阳极：一阳极A1(T1)，二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

  只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。

可控硅模块在应用电路中的作用体现在：

可控整流器：如二极管整流器，交流整流器整流为直流，在交流电压不变的情况下，可有效控制直流输出电压，实现交流/直流的转换。

无触点电源静态开关（固态开关）：晶闸管模块作为电源开关元件，可在开关频率较高的场合替代接触器和继电器。

因此，可控硅模块普遍应用于各种电子设备和电子产品中，如可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。晶闸管模块广泛应用于家用电器的工业控制领域，如调光灯、调速风扇、空调、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、语音控制电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、玩具装置等。电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等领域都大量的使用了可控硅模块。 淄博正高电气有限公司不断从事技术革新，改进生产工艺，提高技术水平。

可控硅模块特点：

1 对耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流：IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。

5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 淄博正高电气有限公司真诚希望与您携手、共创辉煌。四川双向可控硅模块

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过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。

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