威海MTDC320晶闸管智能模块生产厂家

时间:2023年08月06日 来源:

    逆变桥进入工作状态,开始起振,若不起振,表现为它激信号反复作扫频动作,可调节中频电压互感器的相位,即把中频电压互感器20V绕组的输出线对调一下。若把中频电压互感器20V绕组的输出线对调后,仍然起动不起来。此时应确认一下槽路的谐振频率是否正确,可以用电容/电感表测量一下电热电容器的电容量及感应器的电感量,计算出槽路的谐振频率,当槽路的谐振频率处在比较高它激频率的,起动应该是很容易的。再着就是检查一下逆变晶闸管是否有损坏的。(W3W4)逆变起振后,可做整定逆变引前然的工作,把DIP开关均打在OFF位置,用示波器观察电压互感器100V绕组的波形,调节主控板上W4微调电位器,使逆变换相引前角在22°左右,此时中频输出电压与直流电压的比为(若换相重叠角较大,可适当增大逆变换相引前角),此步整定的是**小逆变引前角,一般期望它尽可能的小,当然,过小的逆变换相此前角会使逆变换相失败,表现为中频电压升高时,会出现重复起动。再把DIP-2开关打在ON位置,调节主控板上W3微调电位器,整定比较大逆变换相引前角。根据不同的中频输出电压的要求,比较大逆变换相引前角亦不同,如中频装置三相输入电压为380V,额定中频输出电压为750V时。正高电气不断从事技术革新,改进生产工艺,提高技术水平。威海MTDC320晶闸管智能模块生产厂家

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晶闸管智能模块的输出特性

模块的控制电压与控制角α的关系因负载性质和电路形式的不同而有所区别:

单相交流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~ 180°,控制电压对应0.5V~9.5V。

单相整流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~180°,控制电压对应0.5V~9.5V;感性负载时α范围为0°~90°,控制电压对应于5V~9.5V。

三相全控整流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~120°,控制电压对应2V~8V;感性负载时α范围为0°~90°,控制电压对应于3.5V~8V。

三相半控整流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~180°,控制电压对应0.5V~9.5V。

三相全控交流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~150°,控制电压对应1.5V~9V。

三相半控交流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~210°,控制电压对应0.5V~9.5V。

三相整流充放电模块逆变放电时,α有效范围为90°~180°,控制电压对应0.5V~5V;整流充电时,α有效范围为0°~90°,控制电压对应5V~9.5V。

注:交流调压模块用于感性负载时α应大于负载阻抗角Ψ,即α≥Ψ;当α≤Ψ时,模块已输出较大电压,且不再随α的改变而变化。 济南MTDC1000晶闸管智能模块组件正高电气从国内外引进了一大批先进的设备,实现了工程设备的现代化。

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    检测两基极间电阻:两表笔(不分正、负)接单结晶体管除发射极E以外的两个管脚,读数应为3~10kΩ。[7]检测PN结正向电阻(N基极管为例,下同):黑表笔接发射极E,红表笔分别接两个基极,读数均应为数千欧。对调两表笔后检测PN结反向电阻,读数均应为无穷大。如果测量结果与上述不符,说明被测单结管已损坏。[8]测量单结晶体管的分压比η:按图示搭接一个测量电路,用万用表“直流10V”挡测出C2上的电压UC2,再按公式η=UC2/UB计算即可。[9]单结晶体管的基本应用是组成脉冲产生电路,包括振荡器、波形发生器等,并可使电路结构大为简化。图示为单结晶体管弛张振荡器。单结管VT的发射极输出锯齿波,基极输出窄脉冲,第二基极输出方波。RE与C组成充放电回路,改变RE或C即可改变振荡周期。该电路振荡周期T≈RECln[1/(1-η)],式中,ln为自然对数,即以e()为底的对数。[10]单结晶体管还可以用作晶闸管触发电路。图示为调光台灯电路。在交流电的每半周内,晶闸管VS由单结管VT输出的窄脉冲触发导通,调节RP便改变了VT输出窄脉冲的时间,即改变了VS的导通角,从而改变了流过灯泡EL的电流,实现了调光的目的。[11]晶体闸流管简称为晶闸管,也叫做可控硅。

    晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道,晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管(可控硅)误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管(可控硅)安全运行,常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。正高电气公司可靠的质量保证体系和经营管理体系,使产品质量日趋稳定。

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    以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。目前,GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1.判定GTO的电极将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,*当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值。正高电气生产的产品质量上乘。威海MTDC320晶闸管智能模块生产厂家

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    QXPU-1型恒功率晶闸管中频电源控制板使用说明书小芯片六脉波1、概述QXPU-1恒功率晶闸管中频电源控制板主要由电源、调节器、移相控制、保护电路、相序自适应电路、启动演算电路、逆变频率、逆变脉冲形成、脉冲放大及脉冲变压器组成。其部件采用高性能、高密度、大规模**MPU集成电路,使其电路除调节器外,其余均实现数字化,整流触发器部分不需要任何调整,具有可靠性高、脉冲对称度高、抗干扰能力强、反应速度快等特点,又由于有相序自适应电路,无需同步变压器,所以,现场调试中免去了调相序、对同步的工作,*需把KP晶闸管的门极线接入控制板相应的接线端上,整流部分便能投入运行。逆变采用扫频式零压软启动方式,启动性能优于普通的零压软启动电路。并设有自动重复启动电路,可防止中频电源偶尔的启动失败,使启动成功率达到。频率电路采用的是平均值取样方案,提高了逆变的抗干扰能力,而且*需取样中频电压信号,而无需槽路电容器的电流信号,免去了外接中频电流互感器、确定取样电流相位的烦恼。因此,在调试和使用现场中,也不会由于中频输出线或取样电流互感器的相位接反,而产生中频电源不能启动的问题。逆变电路中还加有逆变角调节电路。威海MTDC320晶闸管智能模块生产厂家

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