淄博MTDC400晶闸管智能模块报价

时间:2021年07月07日 来源:

    构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导铜,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门机电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结。正高电气交通便利,地理位置优越。淄博MTDC400晶闸管智能模块报价

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    这两部分电路,R5、RP和C5构成阻容移相电路。合上电源开关S,交流电源电压通过R5、RP向电容器C5充电,当电容器C5两端的电压上升到略高于双向触发二极管ST的转折电压时,ST和双向晶闸管VS相继导通,负载RL得电工作。当交流电源电压过零瞬间,双向晶闸管自行关断,接着C5又被电源反向充电,重复上述过程。分析电路时,触发电路是工作在交流电路中的,交流电压的正、负半周分别会发出正、负触发脉冲送到双向晶闸管的控制极,使管子在正、负半周内对称地导通一次。改变RP的阻值,就改变了C5的充电速度,也就改变了双向晶闸管的导通角,相应地改变了负载RL上的交流电压,实现了交流调压。同是不是可以直接作交流调压器使用呢?一个简易型调压器,在要求不高的场合(如灯具调光)完全可以使用。这种调压器的缺点有两个:一是负载RL上的电压不能从零伏起调,比较低只能调到20V。当RP调到比较大值时,C5充电速度变得很慢,以致在交流电压的半个周期时间内,C5上的电压还来不及上升到双向触发二极管的转折电压,双向晶闸管就不能导通。为了克服这一缺点,增加了由R4、C4和R6组成的另一条阻容移相电路。当RP调到极限值以上时。C4上的电压可经R6向C5充电。淄博MTAC480晶闸管智能模块报价选择正高电气,就是选择质量、真诚和未来。

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    晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管的种类晶闸管有多种分类方法。(一)按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。(二)按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。(三)按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中。

晶闸管智能模块的输出特性

模块的控制电压与控制角α的关系因负载性质和电路形式的不同而有所区别:

单相交流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~ 180°,控制电压对应0.5V~9.5V。

单相整流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~180°,控制电压对应0.5V~9.5V;感性负载时α范围为0°~90°,控制电压对应于5V~9.5V。

三相全控整流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~120°,控制电压对应2V~8V;感性负载时α范围为0°~90°,控制电压对应于3.5V~8V。

三相半控整流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~180°,控制电压对应0.5V~9.5V。

三相全控交流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~150°,控制电压对应1.5V~9V。

三相半控交流调压模块用于阻性负载时,α有效范围为0°~210°,控制电压对应0.5V~9.5V。

三相整流充放电模块逆变放电时,α有效范围为90°~180°,控制电压对应0.5V~5V;整流充电时,α有效范围为0°~90°,控制电压对应5V~9.5V。

注:交流调压模块用于感性负载时α应大于负载阻抗角Ψ,即α≥Ψ;当α≤Ψ时,模块已输出较大电压,且不再随α的改变而变化。 正高电气以发展求壮大,就一定会赢得更好的明天。

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晶闸管智能模块电流规格的选取方法

考虑到晶闸管智能模块产品一般都是非正弦电流,存在导通角的问题并且负载电流有一定的波动性和不稳定因素,且晶闸管芯片抗电流冲击能力较差,在选取模块电流规格时需要留出一定余量。推荐选择方法可按照以下公式计算:

I>K×I负载×U较大∕U实际

K :安全系数,阻性负载K= 1.5,感性负载K= 2;

I负载:负载流过的较大电流;    U实际:负载上的较大电压;

U较大:模块能输出的较大电压;(三相整流模块为输入电压的1.35倍,单相整流模块为输入电压的0.9倍,其余规格均为1.0倍);

I:需要选择模块的较大电流,模块标称的电流一定要大于该值。

例:某系统用三相整流模块电炉调温,380V输入,输出电流130A,输出直流电压可调350V~450V,应选择什么型号的模块?

选择方法:三相整流模块,380V输入,较大输出直流电压为380×1.35=513V,电炉为阻性负载,按公式输出电流应不小于1.5×130×513/350=285.81A,可选取接近(但一定要大于)值,即320A的模块,型号为:3MTDC320。 正高电气的行业影响力逐年提升。聊城MTDC100晶闸管智能模块供应商

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    由于晶闸管在导通期间,载流子充满元件内部,所以元件在关断过程中,正向电压下降到零时,内部仍残存着载流子。这些积蓄的载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使积蓄载流子迅速消失,这时反向电流消失的极快,即di/dt极大。因此即使和元件串连的线路电感L很小,电感产生的感应电势L(di/dt)值仍很大,这个电势与电源电压串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可能导致晶闸管的反向击穿。这种由于晶闸管关断引起的过电压,称为关断过电压,其数值可达工作电压峰值的5~6倍,所以必须采取措施。阻容吸收电路中电容器把过电压的电磁能量变成静电能量存贮,电阻防止电容与电感产生谐振、限制晶闸管开通损耗与电流上升率。这种吸收回路能晶闸管由导通到截止时产生的过电压,有效避免晶闸管被击穿。阻容吸收电路安装位置要尽量靠近模块主端子,即引线要短。比较好采用无感电阻,以取得较好的保护效果。各型号模块对应的电阻和电容值根据表10选取。(2)压敏电阻吸收过电压压敏电阻能够吸收由于雷击等原因产生能量较大、持续时间较长的过电压。压敏电阻标称电压(V1mA),是指压敏电阻流过1mA电流时它两端的电压。压敏电阻的选择,主要考虑额定电压和通流容量。淄博MTDC400晶闸管智能模块报价

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