湖北三相可控硅调压模块品牌

时间:2020年12月12日 来源:

    电力调整器是利用晶闸管及其触发控制电路来调节负载功率的圆盘式功率调节装置。现在更多的是采用数字电路触发晶闸管来实现电压调节和功率调节。那就让正高电气的小编带大家去了解一下它的其他的方面吧!它是一种四层三端半导体器件,连接在电源和负载之间,并配有相应的触发控制电路板,可调节负载所加的电压、电流和功率。主要用于各种电加热装置(如电加热工业炉、电烘干机、电油炉、各种反应罐和反应釜的电加热装置)的加热功率调节。它不仅可以“手动”调节,还可以用电动调节仪表和智能装置调节仪表、PLC和计算机控制系统,实现加热温度的设定或程序控制。它是采用数字电路触发晶闸管实现电压和功率调节。电压调节采用移相控制方式,功率调节有固定周期功率调节和可变周期功率调节两种方式。通过对电压、电流和功率的控制,它也可以实现对温度的精确控制。并借助于数字控制算法,对功率效率进行了优化。对节约电能起着非常重要的作用,并且调节器的的效率非常高还没有机械噪声,磨损小、体积小重量轻还有很多优点三相这一类型是一种基于晶闸管(电力电子功率器件)和智能数字控制电路的功率控制装置,主要用于三相380VAC场合。淄博正高电气通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。湖北三相可控硅调压模块品牌

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    且随着管子正向阳极电压升高而增大。当阳极电压升到足够大时,会使晶闸管导通,称为正向转折或“硬开通”。多次硬开通会损坏管子。2.晶闸管加上正向阳极电压后,还必须加上触发电压,并产生足够的触发电流,才能使晶闸管从阻断转为导通。触发电流不够时,管子不会导通,但此时正向漏电流随着增大而增大。晶闸管只能稳定工作在关断和导通两个状态,没有中间状态,具有双稳开关特性。是一种理想的无触点功率开关元件。3.晶闸管一旦触发导通,门极完全失去控制作用。要关断晶闸管,必须使阳极电流《维持电流,对于电阻负载,只要使管子阳极电压降为零即可。为了保证晶闸管可靠迅速关断,通常在管子阳极电压互降为零后,加上一定时间的反向电压。晶闸管主要特性参数1.正反向重复峰值电压——额定电压(VDRM、VRRM取其小者)2.额定通态平均电流IT(AV)——额定电流(正弦半波平均值)3.门极触发电流IGT,门极触发电压UGT,(受温度变化)4.通态平均电压UT(AV)即管压降5.维持电流IH与掣住电流IL6.开通与关断时间晶闸管合格证基本参数晶闸管关断过电压(换流过电压、空穴积蓄效应过电压)及保护晶闸管从导通到阻断。线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量产生过电压。湖北三相可控硅调压模块品牌淄博正高电气在客户和行业中树立了良好的企业形象。

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    会对可控硅模块造成损坏,如果要想保护可控硅不受其损坏,就要了解过电压的产生原因,从而去避免防止受损,下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏?以及过电压产生的原因。可控硅模块对过电压非常敏感,当正向电压超过udrm值时,可控硅会误导并导致电路故障;当施加的反向电压超过urrm值时,可控硅模块会立即损坏。因此,需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化,使系统转换太晚,或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现,由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型,如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰,对可控硅模块非常危险。开关的开启和关闭引起的脉冲电压分为以下两类:(1)交流电源接通、断开产生的过电压如交流开关分合、交流侧熔断器熔断等引起的过电压,由于变压器绕组的分布电容、漏抗引起的谐振回路、电容分压等原因,这些过电压值是正常值的2~10倍以上。一般来说,开闭速度越快,过电压越高,则在无负载下断开晶闸管模块时过电压就越高。(2)直流侧产生的过电压例如,如果切断电路的电感较大。

    可控硅模块因为使用的时间的增长,肯定或多或少地出现发热的这种情况,为了是可控硅正常运行,我们不得不采取一些措施,针对这种发热的问题,我们将会针对这个问题采取一定的措施,比如购买散热器,或者其他的种类。所以正高电气的小编将会针对这个可控硅模块的问题进行分析一下:1.需要散热的面积,是与这个模块的电流有着直接的联系的。2.采取怎样的冷却方式是有这个环境散热的条件来确定的,比如说:自然去冷却这个发热的问题、用强迫的风冷去降温或者说用水冷却。3.使用什么样的散热器,取决于外形、体积以及空间的大小。铝型材散热器是绝大多数用户将会选择的,但是为了让客户选择的散热器满足实际的要求,还应该学会计算出这个散热器的占地面积,比如说像长度或者面积。所以在特新表上需要标注出散热的面积,这样计算的话就相对简单了。可控硅模块所需散热面积=(散热器周长)×(散热器长度)+(截面积)×2可控硅还有一种别的名称,叫做可控硅模块,它在电子、电力行业的领域也是非常的。比如在可控整流、交流调压、无触点的电子开关以及变频等电路中也是可以使用的。那么在这个提升可控硅模块的抗干扰能力有什么方法呢?1.为了减少脉冲间的相互干扰。淄博正高电气全力打造良好的企业形象。

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   用指针式万用表电阻档测量可控硅阳极和阴极之间是否短路,一般情况下双向可控硅阳极和阴极之间的电阻在数十千欧以上,如用万用表测量时已短路或电阻已小于10千欧以下,可判断可控硅已击穿损坏。2.用万用表分别测量双向可控硅触发极与阴极之间的电阻值,一般再几欧至百十欧以内的正常,触发极与阳极之间的电阻值,一般再十千欧以上为正常。晶闸管(可控硅)要导通,必须满足以下条件:双向晶闸管导通条件:一是晶闸管(可控硅)阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备,晶闸管(可控硅)才会处于导通状态。另外,晶闸管(可控硅)一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,晶闸管(可控硅)仍然导通。双向晶闸管(可控硅)关断条件:降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极之间的正向电压,使阳极电流小于小维持电流以下。淄博正高电气严格控制原材料的选取与生产工艺的每个环节,保证产品质量不出问题。潍坊进口可控硅调压模块

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    可控硅又称晶闸管(晶体闸流管),是一种常用的功率型半导体器件,其主要的功能是功率控制。可控硅可分为单向可控硅、双向可控硅、可关断可控硅等。可控硅的特点是具有可控的单向导电性,以小电流控制大电流,以低电压控制高电压。可控硅可以用万用表进行检测。一、检测单向可控硅单向可控硅是PNPN四层结构,形成3个PN结,具有3个外电极:阳极A、阴极K、控制极G。单向可控硅的引脚如下图所示。检测时,万用表置于“Rx10Ω”档,黑表笔(表内电池正极)接单向可控硅的控制极G,红表笔(表内电池负极)接单向可控硅的阴极K,这时测量的是单向可控硅PN结的正向电阻,应有较小的阻值。如下图所示。对调两表笔后,测其反向电阻,应比正向电阻明显大一些。万用表黑表笔仍接单向可控硅控制极G,红表笔改接单向可控硅的阳极A,阻值应为无穷大,如下图所示。对调两表笔后,再测,阻值仍应为无穷大。这是因为G、A间为两个PN结反向串联,正常情况下其正、反向阻值均为无穷大。二、检测单向晶闸管导通特性万用表置于Rx1Ω档,黑表笔接单向可控硅阳极A,红表笔接单向可控硅阴极K,表针应指示为无穷大。这是用金属导体将控制极G与阳极A短接一下(短接后马上断开)。湖北三相可控硅调压模块品牌

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