青海高灵敏度纳米粒度分析仪厂家

CMP(化学机械抛光)工艺中磨料颗粒的高精度粒径表征随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。CMP工艺作为芯片制造业不可或缺的一个部分，其对于磨料的颗粒粒度表征要求十分重要。CMP过程中使用的磨料颗粒典型尺寸范围是10-200nm，其颗粒表征要求精确地确定纳米级颗粒的尺寸，因此高分辨率纳米粒度分析仪是磨料颗粒表征的完美解决方案。磨料对CMP工艺起着至关重要的作用！欢迎选用CPS纳米粒度分析仪为您完美解决磨料颗粒问题！驰光机电科技有限公司的行业影响力逐年提升。青海高灵敏度纳米粒度分析仪厂家

而CMP工艺离不开研磨料的发展，那么对于磨料的颗粒粒度表征就显得尤为重要了。CMP就是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平滑处理。将硅片固定在抛光头的较下面，将抛光垫放置在研磨盘上，抛光时，旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上，由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动，然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分布其上，在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。福建粒度分析仪厂家驰光机电科技有限公司严格控制原材料的选取与生产工艺的每个环节，保证产品质量不出问题。

研磨液中的化学成分与硅片表面材料产生化学反应，将不溶的物质转化为易溶物质，或者将硬度高的物质进行软化，然后通过磨粒的微机械摩擦作用将这些化学反应物从硅片表面去除，溶入流动的液体中带走，即在化学去膜和机械去膜的交替过程中实现平坦化的目的。其反应分为两个过程：化学过程：研磨液中的化学品和硅片表面发生化学反应，生成比较容易去除的物质；物理过程：研磨液中的磨粒和硅片表面材料发生机械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。

光电探测器阵列由一系列同心环带组成，每个环带是一个单独的探测器，能将投射到上面的散射光线形地转换成电压，然后送给数据采集卡，该卡将电信号放大，再进行AID转化后送入计算机。激光粒度仪依据全量程米氏散射理论，充分考虑到被测颗粒和分散介质的折射率等光学性质，根据激光照射在颗粒上产生的散射光能量反演出颗粒群的粒度大小和粒度分布规律。激光粒度仪注意事项：本仪器适用于＜1mm粒度测定，＞1mm的应过筛测定；必须先开计算机电源，工作正常后，再开仪器电源，顺序不能反了，否则信号送不到计算机。驰光机电科技有限公司与广大客户携手共创碧水蓝天。

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